Intel si Micron anunta noua memorie flash 3D NAND: capacitate de stocare de trei ori mai mare

Intel si Micron au anuntat, astazi, lansarea unei noi memorii flash, bazata pe tehnologie 3D NAND, ce ofera de trei ori mai multa capacitate de stocare comparativ cu celelalte tehnologii NAND.

Tehnologia 3D NAND aranjeaza vertical straturile de celule de stocare de date cu o precizie mare, pentru a crea dispozitive mai mici, cu un consum redus de energie si performante crescute pentru o serie de dispozitive mobile.

Caracteristicile cheie memoriei flash 3D de tip NAND:

• De trei ori capacitatea actuala a tehnologiei 3D – peste 48GB de NAND per matrita – permitand astfel ca trei sferturi dintr-un terabit sa se potriveasca intr-un pachet de dimensiunea unui deget.
• Prima generatie a memoriei flash 3D de tip NAND este proiectata pentru a aduce reduceri de costuri fata de NAND planar.
• Latime de banda mai mare pentru citire/scriere.
• Noile moduri de sleep permit utilizarea unui consum scazut de energie prin taierea puterii matritelor NAND inactive (chiar si atunci cand o alta matrita din acelasi pachet este activ), scaderea semnificativa a consumului de energie in modul standby.
• Noile caracteristici originale imbunatatesc latenta si cresc rezistenta fata de generatiile anterioare, si aduc un sistem de integrare mai usor.

Versiunea 256 Gb MLC a 3D NAND este deja trimisa partenerilor selectati, iar conceptul 384Gb TLC va fi prezentat mai tarziu in aceasta primavara, se arata intr-un comunicat de presa al Intel. Compania informeaza ca linia de fabricatie este deja in teste si ca ambele dispozitive vor intra in productie de serie pana in al patrulea trimestru al acestui an.

Ambele companii dezvolta, de asemenea, linii individuale de solutii SSD bazate pe tehnologia 3D NAND, aceste produse urmand sa fie disponibile incepand cu anul viitor.